超 FET ® III MOSFET ON Semiconductor 公司全新的高电压超级结点 (SJ) MOSFET 系列，采用充电平衡技术，可提供出色的低导通电阻和更低栅电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常适合各种功率系统，以实现小型化和更高效率。超 FET III FFET ® MOSFET 的主体二极管优化反向恢复性能，可消除额外元件，提高系统可靠性。

TJ = 150°C 时为 700 V
典型值 RDS (on) =64m
超低栅极电荷（典型 Qg = 81 nC）
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 722 pF）
这些设备无铅
典型应用
车载充电器
用于 HEV 的汽车 DC/DC 转换器