增强模式 P 通道 MOSFET ， ON Semiconductor

在半导体方面， P 通道 MOSFET 采用半导体专有的高细胞密度 DMOS 技术制造。这种非常高密度的过程旨在最大限度地减少状态电阻，从而为快速交换提供坚固可靠的性能。

特点和优势：

•电压控制的 P 通道小信号开关
•高密度单元设计
•高饱和度电流
•卓越的交换性能
•坚固耐用、可靠的性能
* DMOS 技术

应用：

•负载切换
• DC/DC 转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制

on ON Semiconductor NDS352AP 是 p 沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管、采用高细胞密度、侧流晶体管技术制造而成。此高密度过程专门定制、有效减少单态电阻。

卓越的接通电阻和最大直流电流容量
工业标准外形、采用了 surface-23 表面安装封装

半导体 MOSFET 晶体管，半

在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。