UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。
在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。