ON semiconductor 的新系列场截止第 4 代 IGBT 采用创新的场截止 IGBT 技术，为低传导和切换损耗至关重要的太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS 和 PFC 应用提供最佳性能。

最大接点温度：TJ = 175 °C
正温度系数易于并行操作
高电流容量
低饱和电压：VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 60 A
高输入阻抗
快速切换
严格的参数分布
应用
太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS、PFC