TYPE | DESCRIPTION |
产品分类 | MOSFETs 晶体管 |
阈值电压Vgs(th) | 2V@1mA |
漏极电流Idss | 130mA |
FET类型 | P沟道 |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10欧姆@130mA,10V |
漏源极电压(Vdss) | 50V |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
零件状态 | 在售 |
漏源电压(Vdss) | 50V |
连续漏极电流Id@25℃ | 130mA |
导通电阻Rds On(Max) | 10Ω |
栅极电荷(Qg)(Max) | - |
输入电容(Ciss)(Max) | 45.0pF |
功率(Max) | 250mW |
工作温度(Tj) | -65°C~150°C |
安装类型 | 表面贴装(SMT) |
封装/外壳 | SOT-23,TO-236AB |
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