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| TYPE | DESCRIPTION |
| 产品分类 | MRAM磁性随机存储器 存储器 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 存取时间 | 20ns |
| 包装 | Tray |
| 接口类型 | Parallel |
| 写周期时间-字，页 | - |
| 原始制造商 | Micron Technology,Inc. |
| 品牌 | Micron |
| 零件状态 | Active |
| 系列 | - |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 技术 | SDRAM - DDR3L |
| 存储器类型 | Volatile |
| 存储器格式 | DRAM |
| 存储容量 | 4 (256M x 16)GB |
| 时钟频率（Max） | 933MHz |
| 工作电压（范围） | 1.45V |
| 工作温度 | 0~+95℃ |
| 安装类型 | SMT |
| 封装/外壳 | TFBGA-96 |
| 搜索 |
